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Process for preparing low electrical contact resistance composition 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-014/34
출원번호 US-0186403 (1988-04-26)
발명자 / 주소
  • Cuomo Jerome J. (Lake Lincolndale NY) Dibble Eric P. (Endicott NY) Levine Solomon L. (Vestal NY)
출원인 / 주소
  • International Business Machines Corp. (Endicott NY 02)
인용정보 피인용 횟수 : 6  인용 특허 : 1

초록

A composition of a metallic compound represented by the formula MT, and G is provided by sputtering an MxG100-x target. M is a metal selected from the group of titanium, hafnium, zirconium, and mixtures thereof. T is selected from the group of N, C, and mixtures thereof. G is a metal selected from t

대표청구항

A process for depositing a layer containing particles of a metal G in a matrix of a metallic compound represented by the formula MT onto a substrate which comprises: providing a substrate; providing a target source of MxG100-x separate from said substrate; subjecting said target source to reactive s

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. Gibson Ian P. (Snodland GB2), Metal coatings.

이 특허를 인용한 특허 (6)

  1. Ozaki Masanori (Utsunomiya JPX) Mashimo Keiji (Nikko JPX), Electric contact materials, production methods thereof and electric contacts used these.
  2. Strangman,Thomas E., Hard, ductile coating system.
  3. Joshi Rajiv V. ; Cuomo Jerome J. ; Dalal Hormazdyar M. ; Hsu Louis L., Refractory metal capped low resistivity metal conductor lines and vias.
  4. Joshi Rajiv V. ; Cuomo Jerome J. ; Dalal Hormazdyar M. ; Hsu Louis L., Refractory metal capped low resistivity metal conductor lines and vias.
  5. Joshi Rajiv V. ; Cuomo Jerome J. ; Dalal Hormazdyar M. ; Hsu Louis L., Refractory metal capped low resistivity metal conductor lines and vias.
  6. Joshi Rajiv V. ; Cuomo Jerome J. ; Dalal Hormazdyar M. ; Hsu Louis L., Refractory metal capped low resistivity metal conductor lines and vias formed using PVD and CVD.
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