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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0137830 (1987-12-23) |
우선권정보 | JP-0310407 (1986-12-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 0 |
The present invention provides a process for producing silicon carbide whiskers by reacting a starting mixture comprising starting silicon source material mainly composed of silicon and oxygen and carbonaceous material at a high temperature, wherein one or more of Fe, Co and Ni ingredients are conta
A process for producing silicon carbide whiskers comprising reacting a starting mixture consisting essentially of a starting silicon source material composed predominantly of silicon and oxygen, and a carbonaceous material at a temperature of 1400°to 1700°C., said starting mixture containing one or
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