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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0147850 (1988-01-25) |
우선권정보 | NL-0000282 (1987-02-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 3 |
A charge-coupled image sensor arrangement has an overexposure adjustment feature whereby the excess of generated electrons is drained in vertical direction to the substrate. In order to adjust the maximum acceptable extent of overexposure, an additional low voltage can be applied to the blocking gat
A charge-coupled device for converting electro-magnetic radiation into discrete electrical charge packets and transporting these charge packets in order to read them out, comprising a semiconductor body having at least three successive layers from a surface in a direction transverse to the surface:
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