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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0247712 (1988-09-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 31 인용 특허 : 3 |
An enclosed chamber is provided to confine wafers to be processed with an etchent gas, and requiring moisture at the surface of the wafer in order to initiate the etching. Gases flowed over the face of the wafer and may be flowed across the backside of the wafer to controllably produce or restrict t
A method of controlling etching of the oxides on the front and back sides of a spinning wafer, comprising treating portions of one side of the wafer with a flow of inert gas as to minimize likelihood of any etching of the oxide on said one side, and simultaneously treating portions of the other side
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