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특허 상세정보

Apparatus and method for production process diagnosis using dynamic time warping

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-021/306    B44C-001/22    C03C-015/00    C03C-025/06   
미국특허분류(USC) 156/626 ; 156/643 ; 156/646 ; 156/345
출원번호 US-0233878 (1988-08-15)
발명자 / 주소
  • Flinchbaugh Bruce E. (Dallas TX) Dolins Steven B. (Dallas TX) Srivastava Aditya (Richardson TX) Reese Jon (Waxahachie TX)
출원인 / 주소
  • Texas Instruments Incorporated (Dallas TX 02)
인용정보 피인용 횟수 : 15  인용 특허 : 3
초록

Operations of a plasma etch reactor (10l ) are monitored to detect aberrations in etching operations. A reference end point trace is defined (62) for the etch process. Regions are defined in the reference end point trace (70) with aid of a dynamic time warping matching function (84) and characteristics and tolerances for each region are defined (72-80). The etcher is run and an actual end point trace is obtained (82) from the running of the etcher. A warping function is constructed (88) between the actual trace and the reference trace. In building the wa...

대표
청구항

A method for monitoring end point traces of a plasma etch reactor comprising: establishing a reference end point trace for a predetermined etch process; dividing the reference end point trace at critical points thereof into predetermined regions; conducting the predetermined etch process on a semiconductor device; obtaining an actual end point trace for the etch of the semiconductor device; matching the critical points on the reference trace with corresponding critical points on the actual trace using a dynamic time warping function; dividing the actual ...

이 특허를 인용한 특허 (15)

  1. Birang, Manush; Kolte, Gregory L.; Doyle, Terry Lee; Johansson, Nils; Luscher, Paul E.; Poslavsky, Leonid, Apparatus and method for endpoint control and plasma monitoring.
  2. Jens Stolze DE, Detecting a process endpoint from a change in reflectivity.
  3. Grimbergen Michael N. ; Lill Thorsten B., Endpoint detection for semiconductor processes.
  4. Sui, Zhifeng; Luscher, Paul E; Johansson, Nils; Welch, Michael D, Endpoint detection in substrate fabrication processes.
  5. Michael N. Grimbergen ; Thorsten B. Lill, Endpoint detection in the fabrication of electronic devices.
  6. Wenzel,Lothar; Rajagopal,Ram; Kumar,Satish V.; Schmidt,Darren R.; Crotty,Kevin M.; Fisher,Matthew S.; Nair,Dinesh, Image pattern matching utilizing discrete curve matching with a mapping operator.
  7. Frum, Coriolan I.; Sui, Zhifeng; Shan, Hongqing, Interferometric endpoint detection in a substrate etching process.
  8. Miller, Michael I.; Khaneja, Navin; Bakircioglu, Muge, Method and apparatus for processing images with curves.
  9. Hwang Yuan-Ko,TWX ; Cho Ching-Wen,TWX, Method and system for on-line monitoring plasma chamber condition by comparing intensity of certain wavelength.
  10. Coss, Jr., Elfido; Conboy, Michael R.; Hendrix, Bryce A., Method for requesting trace data reports from FDC semiconductor fabrication processes.
  11. Kropp Lawrence Andrew ; Stanasolovich David ; Weiss Marc Jay ; Yee Dennis Sek-On, Precise endpoint detection for etching processes.
  12. Bi, Jingying; Kuehnle, Goetz, Radar sensor and method for operating a radar sensor.
  13. Lill, Thorsten B.; Grimbergen, Michael N.; Trevor, Jitske; Jiang, Wei-Nan; Chinn, Jeffrey, Substrate monitoring method and apparatus.
  14. Stephan, Robin A., System and method for automated customizable error diagnostics.
  15. Jahns Gary L., System for indirectly monitoring and controlling a process with particular application to plasma processes.