검색연산자 | 기능 | 검색시 예 |
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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | H01L-021/306 B44C-001/22 C03C-015/00 C03C-025/06 |
미국특허분류(USC) | 156/626 ; 156/643 ; 156/646 ; 156/345 |
출원번호 | US-0233878 (1988-08-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 3 |
Operations of a plasma etch reactor (10l ) are monitored to detect aberrations in etching operations. A reference end point trace is defined (62) for the etch process. Regions are defined in the reference end point trace (70) with aid of a dynamic time warping matching function (84) and characteristics and tolerances for each region are defined (72-80). The etcher is run and an actual end point trace is obtained (82) from the running of the etcher. A warping function is constructed (88) between the actual trace and the reference trace. In building the wa...
A method for monitoring end point traces of a plasma etch reactor comprising: establishing a reference end point trace for a predetermined etch process; dividing the reference end point trace at critical points thereof into predetermined regions; conducting the predetermined etch process on a semiconductor device; obtaining an actual end point trace for the etch of the semiconductor device; matching the critical points on the reference trace with corresponding critical points on the actual trace using a dynamic time warping function; dividing the actual ...