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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0261333 (1988-10-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 26 인용 특허 : 4 |
A detonator device for a primary or secondary explosive comprising an integrated circuit consisting of a silicon wafer substrate on which an epitaxial layer of a desired thickness is first grown, followed by a covering insulating oxide layer. Metal contacts are deposited on the oxide layer in a phot
A detonator device for use with high explosives, comprising: (a) a silicon substrate having an epitaxial layer grown on one surface thereof; (b) an insulating layer formed on the exposed surface of said epitaxial layer; (c) a pair of metal contacts formed on said insulating layer with a predetermine
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