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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0311433 (1989-02-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 5 |
The water content of an HCl gas stream is reduced to less than 1 ppm by contacting the gas stream with a chloride of silicon or a chloride of a metal having a valence of at least four that is immobilized on a solid support.
In a process for reducing the water content of an HCl gas stream, the improvement comprising reducing the water content to less than 1 ppm by contacting the gas stream with a chloride of silicon or a chloride of a metal having a valence of at least four that is immobilized on a solid support.
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