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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | C01B-033/02 B05D-007/00 C23C-016/00 |
미국특허분류(USC) | 427/213 ; 118/716 ; 118/DIG ; 5 ; 423/349 |
출원번호 | US-0165187 (1988-03-07) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
인용정보 | 피인용 횟수 : 27 인용 특허 : 7 |
Undesirable conversion of a silicon source, such as silane, in the freeboard above a fluidized bed of silicon particles in a fluidized bed reactor, can be reduced by cooling the gas within the freeboard. Preferably, the reduction in temperature is achieved by introducing into the freeboard, a stream of relatively cool quench gas such as hydrogen, which also reduces the concentration of silane in the freeboard. As a result of these two factors, the invention improves the service factor of the fluidized bed apparatus, and reduces the amount of silane conve...
A fluidized bed process for the preparation of polysilicon, said process comprising (i) fluidizing a bed of silicon particles, within a reactor having a bed zone for said particles and a freeboard above said bed zone, with a motive stream of deposition gas comprising a silicon source, said bed zone being at a temperature above the thermal decomposition temperature of said silicon source, whereby a portion of said silicon source is decomposed in said bed zone to deposit silicon metal on said bed of silicon particles, and a remaining portion of said silico...