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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0211648 (1988-06-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 2 |
This invention is directed to a process for the cryogenic lift-off of metal/resist material from a surface of a substrate.
A process for the cryogenic lift-off of metal/resist material from a surface of a substrate, which process comprises: providing a layer of resist material in a desired pattern on a surface of a substrate, said substrate possessing a thermal coefficient of expansion different from that of said resist
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