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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0284910 (1988-12-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 9 |
A method for achieving a high yield of beta silicon carbide whiskers. According to this method, very small (e.g., 0.002 microns) fluffy silicon dioxide particles having a very large surface area (e.g., 200 m2/g) are mixed with a fluffy carbonized material. These materials have a void volume of about
A method for producing a high yield of silicon carbide whiskers having diameters of about 0.5 to about 10 micrometers and lengths of about 10 to about 1000 micrometers, which comprises: preparing a mixture of silicon dioxide particles and carbon fibers, said silicon dioxide particles having an avera
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