[특허]Aluminum nitride circuit substrate

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Aluminum nitride circuit substrate 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	B32B-015/04
출원번호	US-0071132 (1987-07-08)
우선권정보	JP-0161784 (1986-07-11)
발명자 / 주소	Sato Hideki (Yokohama JPX) Mizunoya Nobuyuki (Yokohama JPX)
출원인 / 주소	Kabushiki Kaisha Toshiba (Kawasaki JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 6

초록 ▼

Disclosed is an aluminum nitride circuit substrate comprising an aluminum nitride plate and a conductive material bonded to the aluminum nitride plate through a metallized layer formed on the bonding surface of the aluminum nitride plate, the conductive material being of a metallic material which has a thermal expansion coefficient of 2×10-6 to 6×10-6/°C. The aluminum nitride circuit substrate according to this invention is free from the generation of crack caused by the difference of the thermal expansion coefficients of AlN plate and a conductive material bonded to the AlN plate to improve the reliability of the elements.

대표청구항 ▼

An aluminum nitride circuit substrate comprising: an aluminum nitride plate comprising a bonding surface; and a conductive material having a thermal expansion coefficient substantially similar to that of AlN bonded to said aluminum nitride plate through a metallized layer fomred on the bonding surface of the aluminum nitride plate, said conductive material being of a metallic material which has a thermal expansion coefficient of 2×10-6 to 6×10-6/°C.

이 특허에 인용된 특허 (6)

Horiguchi Akihiro (Yokohama JPX) Kasori Mituo (Kawasaki JPX) Ueno Fumio (Kawasaki JPX) Sato Hideki (Yokohama JPX) Mizunoya Nobuyuki (Yokohama JPX) Endo Mitsuyoshi (Yamato JPX) Tanaka Shun-ichiro (Yok, Aluminum nitride sintered body having conductive metallized layer.
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Sato Hideki (Yokohama JPX) Mizunoya Nobuyuki (Yokohama JPX) Nagata Mitsuhiro (Yokohama JPX), Aluminum nitride substrate.
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Smith John M. (Glen Ellyn IL), Method of manufacturing RF power semiconductor package.
상세보기
Kraybill Albert Victor (Arlington Heights IL), R. F. power transistor device with controlled common lead inductance.
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Takeda, Yukio; Ogihara, Satoru; Ura, Mitsuru; Nakamura, Kousuke; Asai, Tadamichi; Ohkoshi, Tokio; Matsushita, Yasuo; Maeda, Kunihiro, Sintered aluminum nitride and semi-conductor device using the same.
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Doi Yoshihiko (Hyogo JPX) Ogasa Nobuo (Hyogo JPX) Ohtsuka Akira (Hyogo JPX) Igarashi Tadashi (Hyogo JPX), Substrate for use in semiconductor apparatus.
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이 특허를 인용한 특허 (3)

Ohkawa Yoshihiro,JPX ; Ikeda Makoto,JPX ; Miyahara Kenichiro,JPX ; Itoh Yoshiaki,JPX, Aluminum nitride substrate and process for preparation thereof.
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Ushikoshi Ryusuke (Tajima JPX) Sakon Atsushi (Nagoya JPX) Umemoto Koichi (Toyota JPX) Niiori Yusuke (Inuyama JPX), Ceramic heaters and heating devices using such ceramic heaters.
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Sasame Akira (Hyogo JPX) Sakanoue Hitoyuki (Hyogo JPX) Takeuchi Hisao (Hyogo JPX) Miyake Masaya (Hyogo JPX) Yamakawa Akira (Hyogo JPX) Yushio Yasuhisa (Hyogo JPX) Akazawa Hitoshi (Hyogo JPX), Connection structure between components for semiconductor apparatus.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

KIPRIS 원문보기

IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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