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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0320788 (1989-03-09) |
우선권정보 | JP-0170956 (1985-08-02); JP-0186372 (1985-08-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 114 인용 특허 : 7 |
An improved semiconductor processing is disclosed. In the manufacturing process, just formed semiconductor layer undergoes photo annealing and latent dangling bonds are let appear on the surface and gaps, then neutralizer is introduced to the ambience of the semiconductor. The semiconductor thus for
In a method of preparing non-single-crystalline semiconductor films, the steps comprising: forming a non-single-crystalline semiconductor film including silicon and hydrogen on a substrate by plasma or photo CVD deposition of a gaseous compound of silicon and hydrogen; effecting, under a vacuum, pho
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