최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0351114 (1989-05-10) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 4 |
A monolithic microwave integrated circuit is enclosed within an ionizable gas filled housing having a terminal protection device integral with the circuit\s substrate. A photon generating region extends within the substrate and along a portion of the surface area of the substrate for facilitating th
A terminal protection device for protecting a monolithic microwave integrated circuit from high energy incident RF power comprising: a sealed housing; an ionizable gas enclosed within said housing; a semiconductor substrate having a surface area enclosed within said housing; a photon generating regi
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.