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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0209244 (1988-06-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 3 |
An edge illuminated impurity band conduction detector includes an extrinsic semiconducting IR-active layer with a first conductivity type impurity concentration high enough to create an impurity energy band. An intrinsic semiconducting blocking layer includes first and second conductivity type impur
An edge illuminated impurity band conduction detector for operation under an applied electric field to detect short wavelength infrared electromagnetic energy, comprising: an extrinsic semiconducting IR-active layer having a thickness less than the absorption length of the electromagnetic energy and
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