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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0334343 (1989-04-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 165 인용 특허 : 10 |
Batch processing of semiconductor wafers utilizing a gas phase etching with anhydrous hydrogen fluoride gas flowing between wafers in a wafer carrier. The etching may take place in a bowl with the wafer carrier mounted on a rotor in the closed bowl. The etchant gas may include a small amount of wate
In the art of gas phase etching of semiconductor wafers for removing portions of the oxide films on such wafers, the method consisting in mounting a multiplicity of such semiconductor wafers into a wafer carrier wherein the wafers are in spaced and confronting relation with each other, and supplying
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