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Silicon nitride ceramic article 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C04B-035/50
  • C04B-035/58
출원번호 US-0203648 (1988-06-06)
우선권정보 JP-0290718 (1985-12-25)
발명자 / 주소
  • Komatsu Michiyasu (Yokohama JPX) Ohta Hiroyasu (Yokohama JPX)
출원인 / 주소
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Kanagawa JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 4  인용 특허 : 2

초록

A sintered silicon nitride ceramic article excelling in high-temperature strength and experiencing only an insignificant decline of strength at elevated temperatures particularly up to 1,300°C. is produced by firing a ceramic mixture composed of not more than 10% by weight of the oxide of a rare ear

대표청구항

A sintered silicon nitride ceramic article, consisting essentially of not more than 10% by weight (excluding the 0 content) of an oxide of a rare earth element, not more than 5% by weight (excluding the 0 content) of hafnium oxide, not more than 5% by weight (excluding the 0 content) of aluminum nit

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. Kosugi Tetsuo (Toukai JPX), Ceramic structure having thermal shock resistance.
  2. Tsuge Akihiko (Yokohama JPX) Komatsu Michiyasu (Yokohama JPX) Inoue Hiroshi (Kawaguchi JPX) Komeya Katsutoshi (Oiso JPX), Process for producing sintered silicon nitride-base body.

이 특허를 인용한 특허 (4)

  1. Sileo Gerard A. ; Woodard William J. ; Walden Frederick C. ; Pettit ; Jr. Harold W. ; Twigg Timothy A., Abrasive/abradable gas path seal system.
  2. Yasutomi Yoshiyuki (Katsuta JPX) Miyoshi Tadahiko (Hitachi JPX) Sobue Masahisa (Mito JPX) Yamashita Nobuyuki (Hitachi JPX) Nagase Hiroshi (Hitachi JPX) Tanno Kiyohiko (Katsuta JPX) Arimoto Shoji (Kam, Conductive material and process for preparing the same.
  3. Okabe Masanori,JPX ; Hamazaki Kagehisa,JPX, Silicon nitride sintered body and method of producing the same.
  4. Komatsu,Michiyasu, Silicon nitride sintered body having high heat conductivity and silicon nitride structural element.
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