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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0209466 (1988-06-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 50 인용 특허 : 4 |
A floating gate memory device comprises a channel for conducting carriers from source to drain, a semiconductor heterostructure forming a potential well (floating gate) for confining carriers sufficiently proximate the channel so as to at least partially deplete it, and a graded bandgap injector reg
A memory device comprising source, drain and control gate electrode means, a semiconductor channel for conducting carriers from said source to said drain means, characterized by a semiconductor heterostructure disposed between said channel and control gate means, said heterostructure including a flo
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