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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0284911 (1988-12-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 1 |
A method for producing a high yield of free-flowing alpha-phase single crystal silicon carbide platelets. Through the use of various parameter and composition values, the size range of the platelets can be controlled. For example, small size platelets can be prepared by first heating a mixture of fi
A method for producing free-flowing single crystal alpha-phase silicon carbide platelets, which comprises the steps: preparing a mixture of a. a silicon carbide preproduct material selected from the group consisting of silicon carbide whiskers and a silicon carbide prefire material produced from hea
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