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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0158759 (1988-02-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 12 |
A planar interconnect using selective deposition of a refractory metal such as tungsten into oxide channels is disclosed. A layer of silicon dioxide as thick as the desired tungsten interconnect is placed on the surface of a substrate such as an integrated circuit wafer. Thereafter, a layer of silic
A planar interconnect level for VLSI devices, comprising: a layer of silicon dioxide formed on a top planar surface of an integrated circuit wafer, said layer having a predetermined thickness and having a planar top surface; at least one interconnect channel formed in said silicon dioxide layer, sai
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