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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0247802 (1988-09-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 142 인용 특허 : 7 |
A structure for, and method of making, thin films of Group I-III-VI compound semiconductors such as copper indium diselenide for use in heterojunction photovoltaic devices fabricated on metal substrates. An interfacial film containing gallium is first deposited upon the substrate. Thereafter, copper
In a photovoltaic device of the type having a metal back contact, a Group I-III-VI semiconductor film of a first conductivity type on said back contact and a semiconductor film of conductivity type opposite said first type on said Group I-III-VI film, the improvement comprising: an interfacial film
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