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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0368253 (1989-06-19) |
우선권정보 | FR-0008520 (1988-06-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 6 |
The disclosed photosensitive matrix comprises, in a standard way, a P type semiconductor substrate, an N type channel layer separated by narrow insulating zones into a plurality of columns and, on a thin layer of insulating oxide placed on the channel layer, a network of transfer gates extending per
A CCD frame transfer photosensitive matrix provided with vertical type anti-blooming means with, on a first type of semiconductor substrate, a second type of channel layer separated by narrow insulating zones into a plurality of columns, and surmounted, with the interposition of a thin layer of insu
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