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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0201567 (1988-06-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 8 |
Polycrystalline silicon rod capable of providing within no more than two floating zoning passes, unicrystalline silicon exhibiting a resistivity of at least 10,000 ohm-cm (donor) and a lifetime of at least about 10,000 milliseconds, exhibits a copper X-ray diffraction pattern having a peak at 26.85°
Polycrystalline silicon rod which is capable of providing within no more than two float zoning passes, unicrystalline silicon exhibiting a resistively of at least 10,000 ohm-cm (donor) and a lifetime of at least about 10,000 microseconds, said polycrystalline silicon rod comprising any starter filam
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