최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0400903 (1989-08-30) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 3 |
A method of and a circuit for temperature protecting a transistor (4) comprising: a controlled voltage supply (34) for applying to the transistor a first voltage substantially less than a predetermined voltage required to render the transistor conductive at normal temperature; a detector (8, 12, 18)
A temperature protected transistor circuit, comprising a first transistor; first means for applying to the transistor a first voltage substantially less than a predetermined voltage required to render the transistor conductive at normal temperature; second means for detecting whether the transistor
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.