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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0203407 (1988-06-06) |
우선권정보 | GB-0013385 (1987-06-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 44 인용 특허 : 6 |
Low voltage semiconductor devices are integrated monolithically with a high voltage semiconductor device on an electrically conductive substrate. The substrate forms an electrode of the high voltage device and is connected in use to the high voltage terminal of a power supply. The low voltage device
A power switching circuit suitable for controlling a load in an electrical system having a positive, high-voltage supply terminal and a negative common return terminal, the circuit being connected in operation between the high-voltage supply terminal and one terminal of the load, another terminal of
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