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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0327455 (1989-03-22) |
우선권정보 | JP-0070808 (1988-03-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 3 |
An infrared sensor includes a metal and a semiconductor contacted to each other via a rectifying potential barrier. The semiconductor includes a p-type strained Si1-XGeX epitaxial layer grown on a p-type substrate, wherein the character X denotes a Ge atomic fraction and wherein X increases from zer
An infrared sensor, comprising a PtSi metal and a semiconductor contacted to each other via a rectifying potential barrier, the semiconductor including a p-type Si1-XGeX epitaxial alloy crystal layer grown on an Si substrate, wherein X denotes the Ge atomic fraction in the p-type Si1-XGeX epitaxial
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