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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0313893 (1989-02-23) |
우선권정보 | KR-0006916 (1988-06-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 9 |
A delay circuit for a semiconductor integrated circuit having an unvaried delay time without the deterioration of a signal propagation characteristic under the influence of a voltage source and an ambient temperature. The semiconductor device includes a first complementary metal-oxide-semiconductor
A semiconductor device having a time delay function comprising: a first complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) inverter including a first P-channel transistor and a first N-channel transistor serially connected with said first P-channel transistor; an input terminal connected to gates of sai
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