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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0116446 (1987-11-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 41 인용 특허 : 3 |
The invention comprises a method of forming a diode which is operable at high temperature, at high power levels, and under conditions of high radiation density. The method comprises bombarding a region of a substrate of doped silicon carbide having a first conductivity type with high temperature ion
A planar diode suitable for operation under conditions of higher temperatures, higher power levels, and under higher radiation density than diodes formed from other semiconductor materials and comprising: a doped silicon carbide substrate having a first conductivity type; a doped well of silicon car
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