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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | H01J-031/38 |
미국특허분류(USC) | 313/366 ; 313/387 |
출원번호 | US-0420773 (1989-10-12) |
우선권정보 | JP-0156317 (1986-07-04); JP-0255671 (1986-10-29); JP-0255672 (1986-10-29); JP-0278635 (1986-11-25); JP-0004865 (1987-01-14); JP-0004867 (1987-01-14); JP-0004869 (1987-01-14); JP-0004871 (1987-01-14); JP-0004 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
인용정보 | 피인용 횟수 : 23 인용 특허 : 2 |
A photoconductive device having a photoconductive layer which includes an amorphous semiconductor layer capable of charge multiplication in at least a part thereof is disclosed. The method of operating such a photoconductive device is also disclosed. By using the avalanche effect of the amorphous semiconductor layer, it is possible to realize a highly sensitive photoconductive device while maintaining low lag property.
An imaging device having high sensitivity and low dark current comprising: a semiconductor region having an amorphous semiconductor layer into which photons are inserted and converted into electron-hole pairs by photoelectric conversion; means for applying a high electric field to the semiconductor region comprising an electrode and an electric power supply; and means for reducing dark current of the imaging device, wherein the amorphous semiconductor layer generates electron-hole pairs under said high electric field such that a number of said electron-h...