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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0199712 (1988-05-27) |
우선권정보 | JP-0131129 (1987-05-29); JP-0171145 (1987-07-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 3 |
The method for forming a pattern according to the present invention comprises a step of irradiating a resist layer applied on a substrate to be worked with X-ray radiation through a mask in an oxygen-containing atomsphere to expose said resist layer, a step of decomposing a peroxide produced within
A method for forming a pattern which comprises a step of irradiating a resist layer which is capable of forming radicals and peroxides upon being exposed to X-ray radiation and which is applied on a substrate to be worked, with X-ray radiation through a mask in an oxygen-containing atmosphere to exp
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