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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0337807 (1989-04-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 152 인용 특허 : 0 |
A process of forming a multi-level semiconductor metallization structure from a single deposit layer of metal. The process provides the versatility of allowing stud-up, stud-down, thick and/or thin metallization structure lines to be formed from the single layer of metal. The thick metallization str
A process for forming a multi-level metallization structure on a processed semiconductor substrate, comprising the steps of: forming a planar insulating layer on said processed semiconductor substrate; masking and etching said planar insulating layer to form a plurality of wiring troughs in an upper
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