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특허 상세정보

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Intrinsic impurity band conduction detectors

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01J-040/14    H01L-029/12   
미국특허분류(USC) 250/211J ; 357/58 ; 357/30
출원번호 US-0289133 (1988-12-23)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 3  인용 특허 : 10
초록
▼

Electromagnetic energy is detected by providing an extrinsic impurity-band semiconducting region with a first conductivity type impurity concentration high enough to create an impurity energy band. An intrinsic semiconducting blocking region is provided with first and second conductivity type impurity concentrations which are low enough that substantially no charge transport occurs by an impurity conduction mechanism. An electrical potential is applied to the impurity-band and blocking regions to create an electric field across the regions, then the regi...

대표
청구항
▼

A method of detecting electromagnetic energy by the generation of intrinsic charge carriers, comprising the steps of: providing an extrinsic impurity-band semiconducting region with a first conductivity type impurity concentration which is high enough to create an impurity energy band; providing an intrinsic semiconducting blocking region with first and second conductivity type impurity concentrations which are low enough that substantially no charge transport occurs by an impurity conduction mechanism; applying an electrical potential to the impurity-ba...

이 특허에 인용된 특허 (10)

  1. Overhauser Albert W. (West Lafayette IN) Maserjian Joseph (Goleta CA). Alternating gradient photodetector. USP1989084860074.
  2. Petroff Michael D. (Fullerton CA) Stapelbroek Maryn G. (Santa Ana CA). Blocked impurity band detectors. USP1986024568960.
  3. Bharat Ramasesha (Orange CA) Petroff Michael D. (Fullerton CA). Edge illuminated detector arrays for determination of spectral content. USP1988074757210.
  4. Solomon Paul M. (Yorktown Heights NY) Wright Steven L. (Yorktown Heights NY). Enhancement and depletion mode selection layer for field effect transistor. USP1986104616242.
  5. Levine Michael A. (383 Sycamore Pl. Sierra Madre CA 91024). Extrinsic infrared detector with a charge reset function. USP1984124488165.
  6. Stapelbroek Maryn G. (Santa Ana CA) Petroff Michael D. (Fullerton CA). Impurity band conduction semiconductor devices. USP1986044586074.
  7. Finnila Ronald M. (Costa Mesa CA) Su Stephen C. (Huntington Beach CA). Monolithic extrinsic silicon infrared detectors with an improved charge collection structure. USP1979024142198.
  8. Harrison Thomas R. (Fair Haven NJ) Tien Ping K. (Chatham Township ; Morris County NJ). Phototransistor for long wavelength radiation. USP1984124488038.
  9. Hipwood Leslie G. (70 Locket Road Wealdstone ; Harrow ; Middlesex GB2 HA3 7NE). Semiconductor devices. USP1986124633279.
  10. Petroff Michael D. (Fullerton CA) Stapelbroek Maryn G. (Santa Ana CA) Kleinhans William A. (Santa Ana CA). Solid state photomultiplier. USP1986044586068.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 3

  1. Chu Tak-Kin (Bethesda MD). Long wavelength infrared detector with heterojunction. USP1991045012083.
  2. Stapelbroek,Maryn G.; Hogue,Henry H.; D'Souza,Arvind I.. Near-infrared visible light photon counter. USP2007047202511.
  3. Dentai Andrew Gomperz. Wavelength discriminating photodiode for 1.3/1.55 .mu.m lightwave systems. USP1998055747861.

IPC 상위 출원인