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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0174959 (1988-03-29) |
우선권정보 | JP-0074410 (1987-03-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 24 인용 특허 : 6 |
The present invention is a sputtering target for formation of an alloy film, which comprises 15 to 50 atomic percent of molybdenum or tungsten, the remaining atomic percent of tantalum, and concomitant impurities, which can provide electrical wiring having very low specific resistance as well as exc
A method of producing an alloy film, comprising the steps of: forming a sputtering target comprising from 15 to 50 atomic percent of molybdenum or tungsten, the remaining atomic percent of tantalum, and concomitant impurities; and sputtering an alloy film on a substrate using said sputtering target.
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