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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | C04B-035/56 |
미국특허분류(USC) | 501/90 ; 501/91 ; 501/92 ; 501/96 |
출원번호 | US-0222554 (1988-07-21) |
우선권정보 | JP-0186753 (1987-07-28); JP-0244161 (1987-09-30) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 4 |
A silicon carbide complex sintered body including 20 to 99 wt % of SiC, 80 to 0.5 wt % of at least one compound selected from the group consisting of W2B5 and/or MoB2, and 0.5 to 5 wt % of at least one material selected from the group consisting of boron, carbon, and boron carbide. A process for producing the sintered body by preparing a mixed powder is also disclosed, wherein the mixed powder includes 20 to 99 wt % of SiC powder having an average particle diameter of not greater than 5 microns, 80 to 0.5 wt % of at least one compound selected from the g...
A pressureless sintered silicon carbide complex sintered body consisting essentially of 20 to 99 wt% of SiC, 70 to 5 wt% of W2B5, and 0.5 to 5 wt% of at least one material selected from the group consisting of boron, carbon, and boron carbide. A pressureless sintered silicon carbide complex sintered body consisting essentially of 20 to 99 wt % of SiC, 70 to 0.5 wt % of MoB2, and 0.5 to 5 wt % of at least one material selected from the group consisting of boron, carbon, and boron carbide, wherein said sintered body consists crystalline phases of MoB2 and ...