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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0412426 (1989-09-26) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 40 인용 특허 : 1 |
A process for controlling the oxygen content in tantalum material comprising heating the material under a hydrogen-containing atmosphere in the presence of a tantalum getter metal having an initial oxygen content lower than the tantalum material.
A process for controlling the oxygen content in tantalum material comprising heating said material at a temperature ranging from about 900°C. to about 2400°C. under a hydrogen-containing atmosphere in the presence of a tantalum getter metal having an oxygen concentration prior to said heating lower
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