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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0324925 (1989-03-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 15 |
An improved gain compression device is disclosed, especially for use in charge-coupled devices. The device is preferably constructed on a semiconductor substrate and includes a first potential well in close proximity to a mobile charge packet generation region. A second potential well is separated f
A semiconductor device comprising: (a) a mobile charge packet generation region; (b) a first potential well adjacent said mobile charge packet generation region, said first potential well having a first potential barrier and a second potential barrier, said first potential barrier greater than said
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