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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0229262 (1988-08-08) |
우선권정보 | DE-3728693 (1987-08-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 23 인용 특허 : 10 |
A process and apparatus for etching semiconductor surfaces, in particular, silicon, with a mixture containing nitrogen-oxygen based compounds as oxidizing compounds, hydrofluoric acid as the component which dissolves the oxidation product, and sulfuric acid, optionally with phosphoric acid added, as
A process for etching the surface of an elementary semiconductor by the combined action of an oxidizing agent, which oxidizes the elementary semiconductor and produces an oxidation product, and a dissolving agent which dissolves the oxidation product, comprising the steps of: contacting said element
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