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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0483281 (1990-02-21) |
우선권정보 | JP-0207417 (1987-08-22); JP-0024934 (1988-02-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 21 |
A gas separation film comprising a perm-selective layer which is formed by reaction in situ of a Schiff base metal complex compound represented by the following formula (I) [Figure] (I) wherein rings A and B each represent an o-phenylene or o-naphthylene group which may be substituted by at least on
A gas separation film comprising a solid permselective layer which is formed by reaction in situ of a Schiff base metal complex compound represented by the following formula (I) [Figure] (I) wherein rings A and B each represent an o-phenylene or o-naphthylene group which may be substituted by at lea
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