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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0580012 (1990-09-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 1 |
A process for preparing monoclinic celsian from topaz and BaCO3, powders by heating an intimate mixture of the powders at a temperature of from 900°C. to less than 1590°C. in an atmosphere of the gases generated by the monoclinic celsian formation reaction itself.
A process for preparing monoclinic BaOㆍAl2O3ㆍ2SiO2 comprising the following steps in order (1) forming an intimate reaction mixture of powders of topaz and BaCO3 wherein the molar ratio of topaz to BaCO3 is from 2:1 to 4:1; and (2) heating the reaction mixture to initiate a celsian formation reactio
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