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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0000851 (1987-01-06) |
우선권정보 | JP-0001008 (1986-01-06); JP-0001009 (1986-01-06); JP-0073746 (1986-03-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 11 |
An improved photoelectric conversion device is shown. The device includes a plurality of photoelectric semiconductor elements each of which are composed of a first electrode and a semiconductor layer and a second electrode. The opposed surfaces of semiconductor layer is completely covered by the fir
A photosensor array comprising: a plurality of first electrodes; a plurality of photosensitive blocks having first and second opposed surfaces, said blocks being arranged in an array formed respectively at said first electrodes such that said first surfaces of the photosensitive blocks respectively
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