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특허 상세정보

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Hexagonal silicon carbide platelets and preforms and methods for making and using same

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C04B-035/52   
미국특허분류(USC) 501/88 ; 423/345 ; 156/603 ; 156/DIG ; 64
출원번호 US-0184994 (1988-04-22)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 4  인용 특허 : 17
초록
▼

Crystalline silicon carbide wherein at least 90 weight percent of the silicon carbide is formed from a plurality of hexagonal crystal lattices wherein at least 80 weight percent of the crystals formed from the lattices contain at least a portion of opposing parallel base faces separated by a distance of from 0.5 to 20 microns. The crystals may be in the form of separate particles, e.g. separate platelets, or may comprise an intergrown structure. The crystalline silicon carbide of the invention is produced by heating a porous alpha silicon carbide precurs...

대표
청구항
▼

A reinforced article comprising a matrix reinforced with a silicon carbide product which is at least 95% pure alpha silicon carbide comprising at least 1000 alpha silicon carbide crystals, at least 90 weight percent of the crystals being formed from hexagonal crystal lattices wherein at least 80 weight percent of the crystals formed from the lattices contain at least a portion of opposing parallel base faces separated by a distance of from 0.5 to 20 microns and wherein those crystals having at least two adjacent 120°corners, have a distance of from 2.5 t...

이 특허에 인용된 특허 (17)

  1. Enomoto Ryo (Ohgaki JPX) Yoshioka Mitihiro (Yoro JPX) Yokoyama Takao (Ohgaki JPX). Apparatus for producing silicon carbide. USP1981094292276.
  2. Schwetz Karl A. (Sulzberg DEX) Lipp Alfred (Bad Worishofen DEX). Dense sintered shaped articles of polycrystalline a
  3. Boecker Wolfgang D. G. (Lewiston NY) Chwastiak Stephen (East Amherst NY) Korzekwa Tadeusz M. (Lewiston NY) Lau Sai-Kwing (East Amherst NY). Hexagonal silicon carbide platelets and preforms and methods for making and using same. USP1988074756895.
  4. Vodakov Jury A. (prospekt Engelsa ; 69/1 ; kv. 35 Leningrad SU) Mokhov Evgeny N. (prospekt Energetikov ; 54 ; korpus 2 ; kv. 59 Leningrad SU). Method for epitaxial production of semiconductor silicon carbide utilizing a close-space sublimation deposition techniqu. USP1979044147572.
  5. Buschmann Rdiger (Amberg DEX) Ganz Rudolf (Mainz-Gonsenheim DEX) Willmann Gerd (Neidernhausen DEX) Wirth Ludwig (Wiesbaden DEX) Elstner Ingo (Wiesbaden DEX) Jeschke Peter (Walluf DEX). Method of ceramic molding which produces a porosity gradient and the manufacture of compound moldings using this method. USP1987124710480.
  6. Knippenberg Wilhelmus Franciscus (Eindhoven NL) Verspui Gerrit (Eindhoven NL). Method of manufacturing silicon carbide crystals. USP1976063962406.
  7. Addamiano, Arrigo. Method of preparing single crystalline cubic silicon carbide layers. USP1985124556436.
  8. Enomoto Ryo (Ohgaki JPX) Tanaka Hiroyuki (Ohgaki JPX) Hara Kazuhisa (Ichinomiya JPX). Method of producing a silicon carbide sintered body. USP1980124238434.
  9. Tsukada Kiyotaka (Oogaki JPX). Porous silicon carbide sinter and its production. USP1988104777152.
  10. Horne ; Jr. Ottis J. (Johnson City TN) Grindstaff Lloyd I. (Elizabethton TN). Preparation of SiC whiskers. USP1981084284612.
  11. Enomoto Ryo (Ohgaki JPX) Yoshioka Mitihiro (Yoro JPX) Yokoyama Takao (Ohgaki JPX). Process and an apparatus for producing silicon carbide consisting mainly of beta-type crystal. USP1979074162167.
  12. Powell J. Anthony (N. Olmsted OH) Will Herbert A. (N. Olmsted OH). Process for fabricating SiC semiconductor devices. USP1976053956032.
  13. Seiter Hartmut (Munich DT). Process for preparing layers of silicon carbide on a silicon substrate. USP1976063960619.
  14. Prochazka Svante (Ballston Lake NY). Process for preparing semiconducting silicon carbide sintered body. USP1980064209474.
  15. Kimura Isao (Suita JA) Habata Hidetsugu (Osaka JA). Process of manufacturing whisker crystalline silicon carbide. USP1976013933984.
  16. Brennan John J. (Portland CT) Prewo Karl M. (Vernon CT). Silicon carbide fiber reinforced glass composites. USP1982024314852.
  17. Prochazka Svante (Ballston Lake NY). Silicon carbide sintered body. USP1977084041117.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 4

  1. Stauter, Richie C.; Bushnell, Peter R.; Stopyra, Stephen; Hotaling, Donald B.; Gough, Jason A.. Dual condenser fans with center partition. USP2012108291721.
  2. Schmitt Theodore Nicolas,ATX. Metal matrix composite (MMC) body. USP2001026186768.
  3. Golan, Gady. Method of producing silicon carbide. USP2003046554897.
  4. Gady Golan IL. Method of producing silicon carbide: heating and lighting elements. USP2002126497829.

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