최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0184994 (1988-04-22) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 17 |
Crystalline silicon carbide wherein at least 90 weight percent of the silicon carbide is formed from a plurality of hexagonal crystal lattices wherein at least 80 weight percent of the crystals formed from the lattices contain at least a portion of opposing parallel base faces separated by a distanc
A reinforced article comprising a matrix reinforced with a silicon carbide product which is at least 95% pure alpha silicon carbide comprising at least 1000 alpha silicon carbide crystals, at least 90 weight percent of the crystals being formed from hexagonal crystal lattices wherein at least 80 wei
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.