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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0525900 (1990-05-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 5 |
Crystalline silicon ingots are produced directly from an internally heated bed of silicon particles.
A device for preparing highly-pure, crystalline silicon, comprising: a reactor vessel suitable for containing a plurality of Si particles; agitating means for agitating said plurality of Si particles; positioning means, for positioning a seed crystal within said reactor; and first heating means, cap
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