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Exposure method and apparatus 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G03B-027/68
  • G03B-027/42
출원번호 US-0401619 (1989-08-31)
우선권정보 JP-0222355 (1988-09-07)
발명자 / 주소
  • Tanaka Tsutomu (Yokohama JPX) Oshida Yoshitada (Fujisawa JPX) Shiba Masataka (Yokohama JPX) Nakashima Naoto (Kurita JPX) Funatsu Ryuichi (Yokohama JPX)
출원인 / 주소
  • Hitachi, Ltd. (Tokyo JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 16  인용 특허 : 6

초록

An enlargement projection type exposure method includes the steps of deforming the shape of a substrate so as to eliminate distortion in an enlarged image of the pattern, which is formed on a mask and projected onto the substrate through an enlargement projection system. The pattern is exposed with

대표청구항

An enlargement projection type exposure method comprising the steps of: a. projecting a circuit pattern of a mask through a lens system onto a substrate before exposure to form a pattern; b. comparing the projected pattern on the substrate with design values therefor; c. measuring an image distortio

이 특허에 인용된 특허 (6)

  1. Taniguchi Motoya (Yokohama JPX) Koizumi Mitsuyoshi (Yokohama JPX) Akiyama Nobuyuki (Yokohama JPX) Kembo Yukio (Yokohama JPX) Ikeda Minoru (Yokohama JPX), Exposure process and system.
  2. Akiyama Nobuyuki (Yokohama JPX) Kembo Yukio (Yokohama JPX) Nakagawa Yasuo (Yokohama JPX) Aiuchi Susumu (Yokohama JPX) Nomoto Mineo (Yokohama JPX), Light exposure device and method.
  3. Taniguchi Motoya (Kamakura JPX) Kuni Asahiro (Tokyo JPX) Funatsu Ryuichi (Yokohama JPX) Kembo Yukio (Yokohama JPX) Inagaki Akira (Yokohama JPX), Light-exposure apparatus.
  4. Akiyama Nobuyuki (Yokohama JPX) Kuni Asahiro (Tokyo JPX) Kembo Yukio (Yokohama JPX) Nakata Toshihiko (Yokohama JPX), Substrate surface deflecting device.
  5. Sakai Fumio (Kawasaki JPX) Isohata Junji (Tokyo JPX), Surface shape controlling device.
  6. Kenbo Yukio (Yokohama JPX) Akiyama Nobuyuki (Yokohama JPX) Koizumi Mitsuyoshi (Yokohama JPX) Kuni Asahiro (Tokyo JPX), Wafer transforming device.

이 특허를 인용한 특허 (16)

  1. Amemiya, Mitsuaki; Uzawa, Shunichi; Chiba, Keiko; Watanabe, Yutaka, Device manufacturing method.
  2. Yasuda, Masahiko; Nei, Masahiro; Ishii, Yuuki; Taniguchi, Tetsuo, Exposure apparatus and method.
  3. Shibazaki, Yuichi, Exposure apparatus including a mask holding device which holds a periphery area of a pattern area of the mask from above.
  4. Ota, Kazuya, Exposure method and apparatus, method of making exposure apparatus, device and device manufacturing method.
  5. Kazuya Ota JP, Exposure method for a projection optical system.
  6. Parker,William P.; Parker,Julie W., In-line holographic mask for micromachining.
  7. Van Dijsseldonk, Antonius J. J., Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby.
  8. McKinley William G. ; Perron Gerard M. ; Tatian Berge, Lithography system and method with mask image enlargement.
  9. Shuei-Lin Chen TW; Chun-Hung Chen TW; Hou-Chun Ting TW; Meng-Shan Yang TW; Ting-Yao Chang TW; Chun-Hao Kuo TW, Method and apparatus for preventing keystone distortion.
  10. Wess Raymond Eugene (Holley NY) Meyers Mark Marshall (Hamlin NY), Method and apparatus for writing onto a photosensitive material using a modulated light beam.
  11. Tsudaka Keisuke,JPX, Method of correcting mask pattern and mask, method of exposure, apparatus thereof, and photomask and semiconductor device using the same.
  12. Tsudaka Keisuke,JPX, Method of correcting mask pattern and mask, method of exposure, apparatus thereof, and photomask and semiconductor device using the same.
  13. Tsudaka Keisuke,JPX, Method of correcting mask pattern and mask, method of exposure, apparatus thereof, and photomask and semiconductor device using the same.
  14. Hamada,Hidenobu, Method of manufacturing photonic crystal, mask, method of manufacturing mask and method of manufacturing optical device.
  15. Nakamura, Ayako; Nakagawa, Masahiro; Fukui, Tatsuo, Position detection apparatus and method.
  16. Sogard, Michael, System for correcting aberrations and distortions in EUV lithography.
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