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특허 상세정보

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Long wavelength infrared detector with heterojunction

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01J-040/14   
미국특허분류(USC) 250/211J ; 357/30
출원번호 US-0539958 (1990-06-18)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 3  인용 특허 : 2
초록
▼

An infrared radiation detector having a first semiconductor layer deposited on a substrate to form a diode junction with an overlay contact, is rendered more effective to detect long wavelength radiation by deposit of a second semiconductor layer between the first layer and the overlay contact in a heterojunction arrangement. The semiconductor materials are selected so as to separate radiation absorbing and electrical functions respectively performed within the two layers and to produce an enhanced output across the diode junction between the first layer...

대표
청구항
▼

In a photovoltaic detector having a substrate, a first semiconductor layer on the substrate, a semiconductor overlay forming a rectifying junction with the first semiconductor layer and heterojunction means interfaced between the overlay and the first semiconductor layer for establishing a resistance across the rectifying junction, the improvement residing in said heterojunction means being made of a class of material having properties interrelated with those of the first semiconductor layer substantially limiting radiation absorption thereto while incre...

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. Kato Toshiaki (Kanagawa JPX) Ueno Masakazu (Yokosuka JPX) Nishiura Masaharu (Yokosuka JPX). Image sensor and method of making. USP1987104698494.
  2. Stapelbroek Maryn G. (Santa Ana CA) Petroff Michael D. (Fullerton CA) Bharat Ramasesha (Orange CA). Intrinsic impurity band conduction detectors. USP1990104962304.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 3

  1. Tennant,William E.; Piquette,Eric C.; Lee,Donald L.; Thomas,Mason L.; Zandian,Majid. Heterojunction photodiode. USP2008057368762.
  2. Stapelbroek,Maryn G.; Hogue,Henry H.; D'Souza,Arvind I.. Near-infrared visible light photon counter. USP2007047202511.
  3. Klipstein, Philip; Klin, Olga; Weiss, Eliezer. Semiconductor photo-detector. USP20180910079262.

IPC 상위 출원인