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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0225314 (1988-07-28) |
우선권정보 | JP-0257877 (1987-10-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 15 |
A semiconductor integrated circuit device enabled to perform both a normal writing operation using a voltage elevated with the internal supply voltage taken as the reference voltage and a writing operation with the use of another voltage elevated with an external voltage applied to an external termi
A semiconductor memory device including a plurality of nonvolatile storage elements each of which requires a predetermined voltage to write a data into a nonvolatile storage element, a first external terminal for receiving an external writing control signal and a second external terminal for receivi
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