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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0484829 (1990-02-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 49 인용 특허 : 3 |
The present invention relates to an integrated circuit which includes complementary MOS transistors (e.g., a CMOS circuit), an EEPROM, and to a method of making the integrated circuit. The EEPROM is incorporated in the circuit in such a manner that it does not adversely affect the high performance,
An integrated circuit comprising: a substrate of a semiconductor material having a surface; an MOS transistor in said substrate at said surface and having a gate electrode with a feature size of no greater than about two microns and having a maximum voltage capability; and an EEPROM in said substrat
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