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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0557550 (1990-07-24) |
우선권정보 | JP-0195764 (1989-07-26); JP-0267777 (1989-10-14); JP-0267778 (1989-10-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 54 인용 특허 : 5 |
A method for removing a film on a silicon layer formed on a surface of a substrate includes the steps of: (a) placing a substrate in a reaction chamber to be isolated hermetically from the outside air, and (b) feeding anhydrous hydrogen fluoride and alcohol simultaneously into the reaction chamber.
A method for removing a film on a silicon layer formed on a surface of a substrate, comprising the steps of: (a) placing said substrate in a reaction chamber to be isolated in an airtight manner from the outside air, and (b) feeding anhydrous hydrogen fluoride and alcohol simultaneously into said re
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