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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0361879 (1989-06-06) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 27 인용 특허 : 7 |
Electromagnetic radiation such as, in particular, infrared radiation is detected opto-electronically by means of a superlattice structure forming quantum wells having a single bound state; in the interest of minimizing dark-current, relatively wide barriers are used between quantum wells. Resulting
A device responsive to electromagnetic radiation at a wavelength of interest comprising a substrate-supported semiconductor superlattice between contact layers, said superlattice comprising interleaved quantum-well and barrier layers, quantum wells formed by said layers respectively having a thickne
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