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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0399301 (1989-08-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 310 인용 특허 : 5 |
The present invention comprises a light emitting diode formed in silicon carbide and that emits visible light having a wavelength of between about 465-470 nanometers, or between about 455-460 nanometers, or between about 424-428 nanometers. The diode comprises a substrate of alpha silicon carbide ha
A light emitting diode formed in silicon carbide that emits light in the blue to violet portion of the visible spectrum and comprising: a p-type substrate of alpha silicon carbide having a flat interface surface that is inclined more than one degree off axis with respect to a basal plane thereof sub
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