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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0387852 (1989-07-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 37 인용 특허 : 8 |
An integrated circuit element is provided, which may be an active or passive element, comprising a planar dielectric layer having a thickness 25 micrometers or less and a dielectric constant less than 3.4. The dielectric layer is preferably a fluoropolymer film coated or impregnated with a low ionic
1. An integrated circuit element comprising a base wafer having an integrated circuit thereon, said circuit being covered by a dry planar, substantially solvent-free dielectric layer, wherein said dielectric layer comprises a porous plastic matrix layer containing within at least some of its pores a
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