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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0470372 (1990-01-25) |
우선권정보 | JP-0156061 (1987-06-23); JP-0313667 (1987-12-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 28 인용 특허 : 9 |
A cleaning method and a gettering method for semiconductor wafers comprises blasting frozen particles at the surface of a semiconductor wafer. A processing apparatus for a semiconductor wafer comprises means for forming ultrafine frozen particles and means for blasting the frozen particles at the su
1. A method of cleaning a semiconductor wafer comprising: blasting ice particles formed from ultrapure water containing carbon dioxide gas and having a specific resistance no more than 1 megohm-cm at a surface of a semiconductor wafer. 2. A method as claimed in claim 1, including blasting the i
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